教員名 : 三木 一司
|
授業科目名
集積回路
(英語名)
Integrated Circuit Technology
科目区分
専門教育科目
−
対象学生
工学部
学年
3年
ナンバリングコード
HETBK3MCA1
単位数
2.00単位
ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の?から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。
授業の形態
講義 (Lecture)
開講時期
2024年度後期
担当教員
三木 一司
所属
工学研究科
授業での使用言語
日本語
関連するSDGs目標
目標7/目標9
オフィスアワー・場所
月曜日午後・B313研究室
連絡先
miki@eng.u-hyogo.ac.jp
対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標
二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。
学部DP
3◎/4◎/5◎
研究科DP
ー
全学DP
ー
教職課程の学修目標
目標1:磨き続ける力/ー
講義目的・到達目標
講義目的:
今日、身の回りのすべての機器に集積回路が搭載されていると言っても過言ではない。集積回路技術は日々進化し高機能化や低消費電力化が実現されており、電気系の技術者として集積回路技術を理解しておくことは大変有意義である。本講義では、講義や演習を通して集積回路の本質を理解することを目的とする。 到達目標: 集積回路の作成プロセス、構成要素の構造と電気的特性に関する知識を習得した上で、集積回路の基本回路の動作を説明できること。 授業のサブタイトル・キーワード
サブタイトル: 微細加工技術とCMOSを用いた回路を学ぶ
キーワード: 微細加工、CMOS、CMOSインバータ、CMOS論理回路、メモリー素子 講義内容・授業計画
1.集積回路の誕生 第1講
・半導体工業の歴史、キルビー特許、ムーアの法則 2.集積回路の作製技術 第2講〜第6講 ・単結晶シリコンの作製 ・フォトレジスト加工 ・酸化 ・不純物導入 ・薄膜堆積 3.集積回路の構成要素とその構造および電気的特性 第7講〜第9講 ・受動素子 ・pn接合 ・MOSデバイス ・バイポーラデバイス 4.集積回路の構造と基本回路 第10講〜第14講 ・MOS集積回路 ・バイポーラ集積回路 5.大規模集積回路の設計と集積回路技術の応用 第15講 教科書
新版 集積回路工学(1) コロナ社(所持必須)
参考文献
新版 集積回路工学(2) コロナ社
事前・事後学習(予習・復習)の内容・時間の目安
【予習】授業に際して指示するテキスト教材の部分を事前読み込み(15h)
【復習】レポート作成(6回、15h)、講義内容の理解を深め定着させるためにテキスト教材を読み直し(30h) アクティブ・ラーニングの内容
授業内容の理解を促すために、主要な項目をレポート課題として課して、授業冒頭でレポート解説を行うことで、重要な技術課題を能動的に理解して貰う。
成績評価の基準・方法
中間試験、レポート、受講態度(出席等)、期末試験を含めて総合的に評点する。
課題・試験結果の開示方法
レポートの正答は、原則次の講義内で解説する。
定期試験は、授業評価アンケートの教員コメント欄に試験結果に関するコメントもあわせて記載する。 履修上の注意・履修要件
電気回路、電子回路のみならず、基礎の物理・化学・数学が必要
生成系AIの利用: 生成系AIの利用については教員の指示に従うこと。生成系AIによる出力結果をそのまま課題レポートとして提出してはいけない。生成系AIによる出力をそのまま提出したことが判明した場合は単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。 実践的教育
該当しない
備考
受講者は受け身の態度ではなく、自ら疑問、意見等を積極的に提示し、インタラクティブな講義となるようこころがけたい。
電気、電子、情報分野の広い知識と特化した分野の知識を融合する。 英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。
|