ナノエレクトロニクス工学

Nanoelectronics Engineering

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電気物性工学専攻科目

工学研究科

1年

HETML5MCA1

2.00単位

講義 (Lecture)

2024年度後期

藤井 俊治郎

工学研究科

日本語

目標9

随時・姫路工学キャンパスB513研究室　(藤井)

fujii@eng.u-hyogo.ac.jp

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1◎／2◎／3◎

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講義目的
シリコンテクノロジーの限界打破に向けて、量子デバイス・新材料MOSデバイスなどナノエレクトロニクスの分野が期待されている。本講義では、ナノエレクトロニクスで用いられる材料・プロセス・デバイスについて解説する。
また、近年注目を集め実用化されつつあるプリンタブル・ウェアラブルエレクトロニクスについても言及する。
達成目標
ナノエレクトロニクスの材料・プロセス・デバイスについて説明できる。

【サブタイトル】
次世代ナノエレクトロニクス材料・プロセス・デバイス
【キーワード】
量子デバイス、新材料MOSデバイス、ナノカーボンデバイス、ナノエレクトロニクス、プリンタブル・ウェアラブルエレクトロニクス

1. ナノエレクトロニクス材料（IV族半導体）
2. ナノエレクトロニクス材料（化合物半導体）
3. ナノエレクトロニクス材料（ナノカーボン・原子層半導体）
4. ナノエレクトロニクス材料（有機半導体）
5. ナノエレクトロニクスプロセス（分子線エピタキシー法）
6. ナノエレクトロニクスプロセス（化学気相成長法）
7. ナノエレクトロニクスプロセス（電子線リソグラフィー）
8. ナノエレクトロニクスデバイス（量子デバイス）
9. ナノエレクトロニクスデバイス（新材料MOSデバイス）
10. ナノエレクトロニクスデバイス（3 次元LSI）
11. ナノエレクトロニクスデバイス（テラヘルツデバイス）
12. プリンタブル・ウェアラブルエレクトロニクス（トランジスタ・配線）
13. プリンタブル・ウェアラブルエレクトロニクス（エネルギーハーベスタ）
14. プリンタブル・ウェアラブルエレクトロニクス（IoTセンサー）
15.全体のまとめ

・当授業では、学生本人がレポート課題を作成することを前提としているため、生成系AIの使用は不可とする。生成系AIを使用したことが判明した場合は、単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。

テキスト資料ファイルを配布

「カーボンナノチューブ・グラフェンの応用研究最前線」（監修：丸山茂夫　NTS）
「ヘルスケア・ウェアラブルデバイスの開発」（監修：菅沼克明　シーエムシ—出版）

【予習】授業に際して指示する資料の街頭部分を事前読み込み（15ｈ）
【復習】講義内容の理解を深め定着させるために資料の該当部分を読み直し（15ｈ）、レポート課題作成（30ｈ）

該当しない。

【成績評価の基準】
講義目的・到達目標に記載する能力 の到達度に基づき、S（90点以上）,Ａ（80点以上）,B（70点以上）,C（60点以上）による成績評価のうえ、単位を付与する。
【成績評価の方法】
レポート課題と受講態度で総合的に評価する。

レポート課題についてはコメントを付して返す。

電気回路、量子力学を履修していることが望ましい。

該当しない