半導体薄膜工学｜シラバス情報

授業科目名

半導体薄膜工学

(英語名)

Thin Film Engineering　for Semiconductor Device

科目区分

ー

材料・放射光工学専攻科目

対象学生

工学研究科

学年

1年

ﾅﾝﾊﾞﾘﾝｸﾞｺｰﾄﾞ

HETMH5MCA1

単位数

2.00単位

ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の？から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。

授業の形態

講義 (Lecture)

開講時期

2024年度前期

担当教員

部家彰

所属

工学研究科

授業での使用言語

日本語

関連するＳＤＧｓ目標

目標7／目標9／目標11

ｵﾌｨｽｱﾜｰ・場所

金曜日11時-12時
C332

連絡先

heya@eng.u-hyogo.ac.jp

対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標

二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。

学部DP

ー

研究科DP

1◎

全学DP

ー

教職課程の学修目標

ー

講義目的・到達目標

講義目的
薄膜形成技術には真空技術、薄膜成長機構、薄膜の評価法など、材料科学を学ぶものに対して重要な概念を含んでおり、応用を踏まえて系統的に学習する。

到達目標
薄膜技術の必要性、現在の課題等を説明し、物理的化学的観点から問題を解決する方法を提案できる。

授業のサブタイトル・キーワード

半導体プロセス、真空技術、成膜、薄膜評価法、無機半導体、有機半導体、グラフェン、太陽電池、トランジスタ、ディスプレイ

講義内容・授業計画

講義内容
　半導体デバイスの重要なプロセス技術である薄膜形成における物理的化学的現象について講義する。また、薄膜の応用例、最近話題の新材料についても言及する。また、学生が行っている修士研究への薄膜技術の応用についても検討する。

授業計画
１．薄膜技術の必要性
２．良い薄膜を作るためには（真空技術）
３．薄膜の形成法（物理的気相成長法）
４．薄膜の形成法（化学的気相成長法）
５．最近の薄膜形成法①
６．最近の薄膜形成法②
７．薄膜の成長機構①
８．薄膜の成長機構②
９．薄膜の評価法（膜厚、組成、構造）
１０．薄膜の評価法（化学結合状態、電気特性）
１１．最近の薄膜新材料（有機半導体）
１２．最近の薄膜新材料（カーボンナノチューブ、グラフェン）
１３．半導体薄膜の応用例（太陽電池）
１４．半導体薄膜の応用例（薄膜トランジスタ）
１５．半導体薄膜の応用例（有機ELディスプレイ）

生成AI：参考までにとどめ、必ず事実確認すること

教科書

プリント配布

参考文献

「薄膜技術入門」小林春洋ほか著（総合電子出版社）
「図説電子デバイス」菅博ほか著（産業図書）

事前・事後学習（予習・復習）の内容・時間の目安

【予習】プレゼンテーションの準備（30ｈ）
【復習】レポート作成（1回、30ｈ）

アクティブ・ラーニングの内容

採用しない

成績評価の基準・方法

レポート(50%)とプレゼンテーション(50%)を評価する。

課題・試験結果の開示方法

プレゼンテーションは、質疑応答でコメントを返す。
レポートは、それぞれにコメントを付して返す。

履修上の注意・履修要件

授業欠席の際の証明書:病院の領収書でも良い

実践的教育

該当しない

備考

英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。