有機電子物性論｜シラバス情報

授業科目名

有機電子物性論

(英語名)

有機電子物性論

科目区分

ー

物質科学専攻科目・選択科目

対象学生

理学研究科

学年

学年指定なし

ﾅﾝﾊﾞﾘﾝｸﾞｺｰﾄﾞ

HSSMM5MCA1

単位数

2.00単位

ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の？から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。

授業の形態

講義 (Lecture)

開講時期

2024年度後期

(Fall semester)

担当教員

江口　律子

所属

理学研究科

授業での使用言語

日本語

関連するＳＤＧｓ目標

該当なし

ｵﾌｨｽｱﾜｰ・場所

授業日　〜17:00　(713号室)

連絡先

eguchi@sci.u-hyogo.ac.jp

対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標

二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。

学部DP

ー

研究科DP

1◎／2◎／3◎

全学DP

ー

教職課程の学修目標

目標１:磨き続ける力／ー

講義目的・到達目標

【講義目的】
本講義では、電子物性の立場から有機薄膜デバイスに関する研究の基礎的事項に関して学ぶ。
【到達目標】
半導体と電界効果トランジスタの基礎を学び、物質界面における特異な伝導特性や電子状態ついて理解する。有機デバイスの動作原理やデバイス関連研究（デバイス作製方法、物性測定・解析）が理解できることを最終的な到達目標とする。

授業のサブタイトル・キーワード

有機デバイス、薄膜、接合、界面、電界効果トランジスタ

講義内容・授業計画

１．金属・半導体の基礎
２．半導体の基礎：不純物半導体
３．キャリアの輸送現象１
４．キャリアの輸送現象２
５．p-n接合１
６．p-n接合２
７．金属/酸化物/半導体(MOS)ダイオードの原理
８．MOS電界効果トランジスタの原理
９．有機電界効果トランジスタの作製
１０．有機電界効果トランジスタの動作特性
１１．有機材料を用いたデバイス研究１
１２．有機材料を用いたデバイス研究２
１３．二次元層状物質を用いたデバイス研究１
１４．二次元層状物質を用いたデバイス研究２
１５．まとめ

【生成系AIの利用】
本講義では、講義内容に関連したレポート課題を課す。これらは、当該学術分野に関連した基礎知識と作成者の考察を基に作成するものである。生成系AIをレポート作成の参考に用いることは構わないが、生成系AIの出力した内容について、事実関係の確認や出典・参考文献を確認・追記することが重要である。生成系AIを使用した場合は、使用した生成系AIの名称やバージョン、使用日付などの情報、および入力内容や生成系AIからの回答などの情報をレポートに明記すること。また、生成系AIのみを用いて作成されたレポートは受け付けない。

教科書

講義資料をユニバーサルパスポートで適宜配布する。

参考文献

Semiconductor Devices: Physics and Technology, by S. M. Sze (A John Wiley & Sons, Inc.)

事前・事後学習（予習・復習）の内容・時間の目安

【予習】講義資料が事前に配られている場合は、授業前に読んでおくこと。必要に応じて参考文献を読む。（30ｈ）
【復習】レポート作成（数回、15ｈ）、講義内容の理解を深め定着させるために参考文献を読む。（15ｈ）

アクティブ・ラーニングの内容

採用しない

成績評価の基準・方法

【成績評価の基準】
S（90点以上）、Ａ（80 点以上）、B（70 点以上）、C（60 点以上）による成績評価のうえ、単位を付与する。
【成績評価の方法】
基本的にレポート提出により成績評価する。

課題・試験結果の開示方法

課題への解答に関して教員が随時コメントし、解説等を授業中に行う。

履修上の注意・履修要件

先修科目は特にないが、量子力学、統計力学、物理化学、量子化学、電磁気学の基礎的知識を有していることが望ましい。

実践的教育

該当しない

備考

英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。