物質基礎解析学特別講究ⅢＡ

授業科目名

物質基礎解析学特別講究ⅢＡ

(英語名)

Theoretical Study on Advanced Material Science IIIA

科目区分

ー

物質科学専攻科目・選択科目

対象学生

理学研究科

学年

1年

ﾅﾝﾊﾞﾘﾝｸﾞｺｰﾄﾞ

HSSDM7MCA4

単位数

4.00単位

ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の？から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。

授業の形態

実験 (Experiment)

開講時期

2024年度前期

担当教員

草部　浩一、中野博生、坂井　徹、尾嶋　拓、野村　拓司

所属

理学研究科

授業での使用言語

日本語

関連するＳＤＧｓ目標

目標9

ｵﾌｨｽｱﾜｰ・場所

随時

連絡先

講義中に指示する。

対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標

二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。

学部DP

ー

研究科DP

4◎／2〇

全学DP

ー

教職課程の学修目標

ー

講義目的・到達目標

【講義目的】物質基礎解析学部門に属する教員の指導のもとに原著論文を講読し、その内容の理解を通し、物質科学の分野における最先端の研究に触れ、また未解決な問題に取り組むことにより、独立した研究者としての素養を培う。
【到達目標】物質科学の分野における最先端の研究に触れ、また未解決な問題について説明をすることができる。

授業のサブタイトル・キーワード

キーワード：数値シミュレーション、ランダム磁性体、電子状態、非断熱過程、拡張アンサンブル

講義内容・授業計画

[I. 物質科学の数値シミュレーション基礎]
1.　　　数値的厳密対角化
2.　　　ランチョス法
3.　　　ハウスホルダー法
[II. ランダム磁性体の理論]
4.　　　スピングラス、
5.　　　フラストレーションをもつ磁性体
6.　　　ＳＫモデル
7.　　　レプリカ法
8.　　　計算機シミュレーション
[III. マイクロクラスター・固体表面の電子状態と非断熱過程]
9.　　　マイクロクラスター・固体表面上での吸着・脱離等の反応過程
10.　　　エネルギー散逸機構
11.　　　非断熱過程の理論その１
12.　　　非断熱過程の理論その２
[Ⅳ. 生体分子の分子動力学シミュレーション]
13.　　　拡張アンサンブル法その１
14.　　　拡張アンサンブル法その２
15.　　　拡張アンサンブル法その３

生成系AIの利用：
生成系AIの利用については教員の指示に従うこと。生成系AIによる出力結果をそのまま課題レポートとして提出してはいけない。
生成系AIによる出力をそのまま提出したことが判明した場合は単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。

教科書

原著論文を用いる。随時指示する。

参考文献

随時指示する。

事前・事後学習（予習・復習）の内容・時間の目安

【予習】授業に際して指示する原著論文等を事前読み込み(15h)
【復習】課題、レポート作成(90h)、講義内容の理解を深め定着させるために教材を読み直し(15h)

アクティブ・ラーニングの内容

受講者自らが未解明の問題を説明することにより、思考力・表現力を涵養する。学生のグループワークに教員や講師が参加し、学生によるディスカッション、研究発表を行う。

成績評価の基準・方法

毎回与えられた課題を理解し、レポートを作成できたものに、到達目標に記載した能力の到達度に応じてS(90点以上), A(80点以上), B(70点以上), C(60点以上)による成績評価のうえ、単位を付与する。

課題・試験結果の開示方法

提出されたレポートについて、それぞれの担当教員が評価し、コメントを併せて授業時間中などに伝達する。

履修上の注意・履修要件

実践的教育

該当しない

備考

英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。

シラバス情報