シラバス情報

授業科目名
応用電子工学
(英語名)
Applied Electronics
科目区分
専門教育科目
対象学生
工学部
学年
3年
ナンバリングコード
HETBK3MCA1
単位数
2単位
ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の?から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。
授業の形態
講義 (Lecture)
開講時期
2024年度後期
担当教員
中嶋 誠二
所属
工学研究科
授業での使用言語
日本語
関連するSDGs目標
目標9
オフィスアワー・場所
随時・書写B616研究室
(メールによる事前連絡が望ましい)
連絡先
nakashima@eng.u-hyogo.ac.jp

対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標
二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。
学部DP
2◎/3◎/4◎
研究科DP
全学DP
教職課程の学修目標

講義目的・到達目標
講義目的
 身の回りにある種々の電子デバイスの動作は、電子工学の根幹をなす目に見えない電子の振舞いを支配する物理現象と、その物理現象を巧みに引き出すデバイス構造により実現されている。この講義では、まず電子の振舞いを記述する固体電子論の基礎を再確認し、その後それらを応用した種々の電子デバイスの構造や動作原理を修得する。
到達目標
 種々の電子デバイスの構造と動作原理を説明することができる。
授業のサブタイトル・キーワード
サブタイトル
身の回りの電子デバイスの構造と動作原理を理解するための電子工学
キーワード
半導体、メモリデバイス、ディスプレイデバイス、電荷結合デバイス、光デバイス、センサデバイス
講義内容・授業計画
講義内容
 前半は、電子デバイスの動作原理の理解に必要な、固体電子論の基礎と半導体物性の基礎を講義する。また、後半は記憶デバイス、光デバイス、センサデバイス等の電子デバイスに利用されている材料物性と各素子の動作原理との関係を重点的に講義する。
授業計画
第1回 固体のエネルギーバンドと電子の分布(1)
第2回 固体のエネルギーバンドと電子の分布(2)
第3回 半導体内でのキャリアの振舞い
第4回 pn接合とショットキー接合(1)
第5回 pn接合とショットキー接合(2)
第6回 MOSFET(1)
第7回 MOSFET(2)
第8回 電荷結合デバイス(1)、中間テスト
第9回 電荷結合デバイス(2)
第10回 メモリデバイス(1)
第11回 メモリデバイス(2)
第12回 ディスプレイデバイス
第13回 Ⅲ—Ⅴ族化合物半導体
第14回 光デバイス
第15回 センサデバイス(1)
※レポート課題は生成系AIの使用を想定していない。生成系AIによる出力をそのまま提出したことが判明した場合は単位を認定しない、又
は認定を取り消すことがある。


教科書
電子デバイスの基礎と応用、長谷川 文夫、本田 徹 共著、産業図書
参考文献
固体電子論入門 半導体物理の基礎、志村 忠夫著、丸善出版
現代 半導体デバイスの基礎、岸野 正剛著、オーム社
電子物性、松澤剛雄・髙橋清・斉藤幸喜共著、森北出版
事前・事後学習(予習・復習)の内容・時間の目安
【予習】授業に際して指示するテキストを事前読み込み(15回 30h)
【復習】レポート作成(7回、15h)、講義内容の理解を深め定着させるためにテキストを読み直し(15回 15h)
アクティブ・ラーニングの内容
該当しない。
成績評価の基準・方法
教科書各章の終了時に章末問題よりレポートを課す。また中間試験、期末試験を実施する。
レポート20点、中間試験40点、期末試験40点の合計で評価し、60点以上を合格とする。
課題・試験結果の開示方法
レポートは授業中に模範解答を示し、解説する。
授業評価アンケートの教員コメント欄に試験結果に関するコメントもあわせて記載する。

履修上の注意・履修要件
電子物性、半導体デバイスに係る基礎的知識を修得していることが望ましい。



実践的教育
該当しない
備考
自然科学に基づいた専門分野の基礎力
電気、電子、情報分野の広い知識と特化した分野の知識
英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。