表面界面工学

Surface Engineering

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電気物性工学専攻／電子情報工学専攻共通科目

工学研究科

1年

HETMA5MCA1

2単位

講義 (Lecture)

2024年度前期

吉田 晴彦

工学研究科

日本語

目標4／目標9

水曜13:00〜14:30・B408研究室

yoshida@eng.u-hyogo.ac.jp

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1◎／2〇／3〇

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【講義目的】半導体デバイスにおいて重要な役割を果たす表面・界面の物性について理解を深める。さらに、半導体デバイスや半導体表面・界面の電気特性及び電子構造を評価する技術についても、その評価原理や特徴について習得する。
【到達目標】半導体デバイスの特性と半導体表面・界面の特性との関連及び半導体表面・界面の評価技術の基本原理を説明できること。

【講義内容】
各種半導体デバイスを例にして、そのデバイス特性と半導体表面・界面の特性との関連及び重要性について述べる。さらに、半導体デバイスや半導体表面・界面の電気特性及び電子構造を評価する技術として、過渡容量分光法、光電子分光法、オージェ電子分光法、走査型プローブ顕微鏡などを例に挙げ、その評価原理や特徴について言及する。
【授業計画】
１．　ガイダンスと半導体の基礎的事項の復習
２．　固体の構造と電子のエネルギー
３．　Ｘ線を用いた分析技術
４．　電子線を用いた分析技術
５．　光子を用いた分析技術
６．　イオンビームを用いた分析技術
７．　半導体中の局在準位
８．　局在準位の光学的評価
９．　ｐｎ接合の特性と局在準位の関連
１０．仕事関数とその評価法
１１．ショットキー接合の電気特性評価
１２．ＭＯＳキャパシタの電気特性評価
１３．ＭＯＳキャパシタの界面特性評価
１４．ＭＯＳトランジスタの評価技術
１５．走査型プローブ顕微鏡

生成系AIの利用：この授業においては生成AIの利用を予定していないが、学生が利用する場合には参考文献が実在するかなど事実確認を必ず行うこと。

ユニバーサルパスポートのクラスプロファイル機能を使って授業資料を事前に配布する。

【予習】授業に際して指示する事前配布資料の読み込み（15h）及び空白箇所の書き込み（15h）
【復習】レポート（５回、15h）、講義内容の理解を深め定着させるための授業資料の読み直し（15ｈ）

授業中に質問スライドを入れ、その場で考えてgoogleフォームに回答してもらい、「考える」、「行動する」学びを促すようにしている。

【成績評価の基準】
講義目的・到達目標に記載する能力（知識・技能、思考力等）の到達度に基づきS（90点以上）,Ａ（80点以上）,B（70点以上）,C（60点以上）による成績評価のうえ、単位を付与する。
<!--[if !supportLineBreakNewLine]-->
<!--[endif]-->【成績評価の方法】
成績評価は、5回のレポート課題を基準として、受講態度（講義中の小テストや積極的な質問等）を含めて総合的に評価する。 

レポートは、原則講義中に解説し、講義中解説できなかったものは模範解答をユニバーサルパスポートのクラスプロファイル機能を使って示す。
定期試験は、全体的な講評や模範解答をユニバーサルパスポートのクラスプロファイル機能を使って示す。

該当しない