先端電子情報素子工学｜シラバス情報

授業科目名

先端電子情報素子工学

(英語名)

Advanced Electronicand Information Devices

科目区分

ー

-

対象学生

工学研究科

学年

1年

ﾅﾝﾊﾞﾘﾝｸﾞｺｰﾄﾞ

HETMN5MCA9

単位数

2単位

ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の？から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。

授業の形態

講義・実習 (Lecture/Practical Training)

開講時期

2024年度後期

担当教員

神田健介

所属

工学研究科電子情報工学専攻

授業での使用言語

日本語

関連するＳＤＧｓ目標

目標4／目標9

ｵﾌｨｽｱﾜｰ・場所

水曜日　10:40〜12:10　B520室

連絡先

kanda@eng.u-hyogo.ac.jp

対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標

二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。

学部DP

ー

研究科DP

1◎／2〇／3〇

全学DP

ー

教職課程の学修目標

ー

講義目的・到達目標

これからのIoT社会を下支えする電子情報素子として，センサやアクチュエータなどのいわゆるMEMSと呼ばれる素子とその周辺技術に関して，その種類や原理，製造技術，回路技術まで幅広く論じる。講義後半では，MEMSデバイス開発支援センターを利用した実デバイス試作を通じてMEMS設計・製造技術についての理解を深める。本講義の到達目標は，電気機械変換を含むMEMS素子の設計・製造技術を理解し応用できることである。

授業のサブタイトル・キーワード

講義内容・授業計画

講義前半は座学によりMEMSに関する基礎知識の習得を行う。後半では，デバイス試作を行うことで，半導体製造工程やMEMSプロセスについての理解を深める。
1．MEMSの歴史
2．製造技術（１）
3．製造技術（２）
4．材料力学の概要
5．振動工学の概要
6．圧電型MEMS
7．試作課題のための設計
8．試作課題のための設計（デザインレビュー含む）
9．シリコン酸化工程
10．リソグラフィ
11．金属エッチング
11．リソグラフィ・シリコンエッチング
12．リソグラフィ・シリコンエッチング
13．デバイス評価
14．デバイス評価

教科書

プリント配布

参考文献

“A (not so) short Introduction to Micro Electromechanical Systems”, F. Chollet, HB. Liu, version 5.4, 2018 (https://memscyclopedia.org/introMEMS.html)

事前・事後学習（予習・復習）の内容・時間の目安

【予習】事前配布する資料の読み込み（2ｈ x 15回）
【復習】講義内容の理解を深め定着させるためにテキストを読み直し（2ｈ x 15回）

アクティブ・ラーニングの内容

実際にクリーンルームに入り，MEMS試作を通して半導体製造プロセスの体験を行う。

成績評価の基準・方法

試作課題に関するレポートにより評価を行う．
60点以上を合格とし，90点以上でS，80点以上でA，70点以上でB，60点以上をCとする。
課題回答では，⽣成系AIの使⽤は不可とする。⽣成系AIを使⽤したことが判明した場合は、単位を認定しない、⼜は認定を取り消すことがある。

課題・試験結果の開示方法

提出されたレポートについて講義中に解説を行う。

履修上の注意・履修要件

MEMSやセンサやアクチュエータ，ものづくりに興味があること。材料力学や振動工学の基礎についても学ぶ。事前知識は不要だがアレルギーなく興味を持って取り組むこと。

実践的教育

該当しない

備考

英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。