電気工学セミナーⅠ

Advanced Seminar on ElectricalEngineering I

ー

電気物性工学専攻／電子情報工学専攻共通科目

工学研究科

1年

HETDA7MCA3

2単位

演習 (Seminar)

2024年度後期

上野 秀樹、多田 和也、三木 一司

工学研究科

日本語

目標7／目標9／目標12

上野：随時 B203室
三木：随時 B313室
多田：随時 B312室

ueno@eng.u-hyogo.ac.jp（上野）
miki@eng.u-hyogo.ac.jp （三木）
tada@eng.u-hyogo.ac.jp（多田）

ー

1◎／2◎／3◎

ー

ー

電気物性工学専攻に属する教員が指導し, 原著論文を購読してその内容を理解する｡ 電力分野における高電界現象, パワーエレクトロニクス, 高分子半導体等の最先端の研究に触れて研究の深さを実感し, 課題に対する問題点の抽出，研究計画の立案からその遂行, 結果の考察等自立した研究者としての素養を養う｡

到達目標
・自ら高電界現象, パワーエレクトロニクス, 高分子半導体等に関する最先端の話題を提供し, その話題を計画に沿って分かりやすい資料を作成し，説明できる。

高電界現象, パワーエレクトロニクス, 高分子半導体

科目の位置づけ, 教育内容・方法
原著論文の購読等により内容を理解し， 最先端の話題を自ら提供し,その内容について討論することにより, 研究者, 技術者として指導できる能力を養成する。具体的には下記の事項について全15週にわたって討論し, 解説する。

（オムニバス方式）

第１〜５週
（上野　秀樹）
高電界工学：電力工学において重要な気体，固体誘電体におけるコロナと絶縁破壊に関する高電界下での諸問題，環境浄化やディスプレーなどへの高電界現象の応用について，その将来性と今後の課題について展望する｡

第６〜１０週
（三木　一司）
パワーエレクトロニクス： ワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスの作製プロセスやデバイス物理について展望する。

第１１〜１５週
（多田　和也）
高分子半導体材料：導電性高分子などの高分子半導体を用いて，印刷法などの従来半導体の加工法として考えられなかった手法による低コストかつ低環境負荷型のデバイスを創り出す研究の現状について調べ, 背景にある考え方を考察する。

※パソコンの利用：パソコンの利用については指導教員の指示に従うこと。
※生成系AIの利用： 生成系AIの利用については指導教員の指示に従うこと。レポート，小論文，学位論文等については、学生本人 が作成することを前提としているため，生成系 AIのみを用いて作成すること はできない。指導教員が認める範囲を超えて生成系AIを使用したことが判明した場合は，単位を認定しない，又は認定を取り消すことがある。

講義中に適宜紹介する。

【事前準備】最先端の技術に関する文献調査を行い，討論ための資料作成（20h）
【事後学習】討論内容の理解を深めるため，討論後の講評をもとにした資料等の見直し（10h）

調査内容のプレゼンテーションと討論

成績評価の基準
講義目的・到達目標に記載する能力の到達度に基づき，S（90点以上）,Ａ（80点以上）,B（70点以上）,C（60点以上）による成績評価のうえ，単位を付与する。

成績評価の方法
話題についての調査資料・レポート，プレゼンテーション，討論をもとに総合的に講義目的・到達目標に記載する能力の到達度を評価する。
100点満点中60点以上を合格とする。

調査資料をもとにした討論ののち，その結果について講評をする。

該当しない

※本学の配付資料を参照してください。