電子工学セミナーⅠ

Advanced Seminar on ElectronicEngineering I

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電気物性工学専攻／電子情報工学専攻共通科目

工学研究科

1年

HETDA7MCA3

2単位

演習 (Seminar)

2024年度後期

堀田 育志、吉田 晴彦、藤澤 浩訓

工学研究科

日本語

目標9

随時・担当者居室

hotta@eng.u-hyogo.ac.jp(堀田)
yoshida@eng.u-hyogo.ac.jp(吉田)
fujisawa@eng.u-hyogo.ac.jp(藤澤)

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1◎／2〇／3〇

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【講義目的】
半導体、強誘電体、金属酸化物などの電気・電子材料について、結晶構造、電子構造、材料物性、表面・界面物性の関連性を基に材料設計を行える能力を身に着ける。さらに、デバイス応用において必須となる材料の結晶薄膜作製プロセスについて、実際研究に従事している教員とのセミナーを通して実情に即した最適な成膜手法や評価方法を選択できるようになる。また、代表的な電気・電子デバイスの構造と特性を広く理解するとともに、新しい材料が使われた先端デバイスの開発動向についての知見を基に、最先端デバイス工学において用いる材料の選定が行えるようになる。最先端の材料科学およびデバイス工学分野において、学生が独立して研究を遂行できるよう教育する。

【到達目標】
半導体、強誘電体、金属酸化物などの電気・電子材料について、結晶構造、電子構造、材料物性、表面・界面物性を基にした材料設計が行えるようになる。さらに、各材料の薄膜化において、最適な成膜手法と評価手法を選択できる。また、代表的な電気・電子デバイスの構造と特性を広く理解した上で、先端デバイスの開発現状と将来動向・課題について的確に把握し、その開発において目的に応じた材料の選定が行えるようになる。
 
生成系AIの利用：
生成系AIの利用については教員の指示に従うこと。生成系AIによる出力結果をそのまま課題レポートとして提出してはいけない。生成系AIによる出力をそのまま提出したことが判明した場合は単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。

（オムニバス方式）

表面工学（第1回〜第5回：吉田晴彦）：半導体及び半導体デバイスの物性、作製プロセスについて、またこれらの表面及び界面の物性ならびに分析技術についてセミナーを行う。

電子デバイス（第6回〜第10回：藤澤浩訓）：今後の電子デバイスの高集積化に要求される新規なプロセス技術・材料などについてのセミナーを行う。

酸化物半導体工学（第11回〜第15回：堀田育志）：遷移金属酸化物の半導体材料の基本物性・材料設計についてと薄膜・超格子作製技術についてのセミナーを行う。

教員が配布する資料をテキストとする。

必要に応じて文献を学術論文誌より自主的に集める。

【予習】セミナーで必要となる文献の事前読み込み、資料の準備（10ｈ）

【復習】セミナー内容についてのレポート作成（10ｈ）、議題内容の理解を深め定着させるために追加される文献の読解（10ｈ）

採用しない

【成績評価の基準】
講義目的・到達目標に記載する能力の達成度に基づき、S（90点以上）、A（80点以上）、B（70点以上）、C（60点以上）による成績評価のうえ、単位を付与する。

【成績評価の方法】
講義目的・到達目標に記載する能力の達成度をセミナー中の討論内容に基づき総合的に判断する。

セミナー中の議論における発言内容について指導教員が適宜フィードバックを与える。

全てのセミナーに参加することが必要。

該当しない。

日程と使用するセミナー室は担当教員が通知する。