微細加工プロセス工学特別セミナー

授業科目名

微細加工プロセス工学特別セミナー

(英語名)

Seminar on VLSI Fabrication Process

科目区分

ー

材料・放射光工学専攻科目

対象学生

工学研究科

学年

1年

ﾅﾝﾊﾞﾘﾝｸﾞｺｰﾄﾞ

HETDH7MCA1

単位数

2単位

ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の？から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。

授業の形態

講義 (Lecture)

開講時期

2024年度後期

担当教員

部家彰、足立大樹、鈴木隆史

所属

工学研究科

授業での使用言語

日本語

関連するＳＤＧｓ目標

目標7／目標9／目標11

ｵﾌｨｽｱﾜｰ・場所

C332（部家）
C335（足立）
C331（鈴木(隆)）
（メール事前連絡が望ましい）

連絡先

heya@u-hyogo.ac.jp（部家）
adachi@eng.u-hyogo.ac.jp（足立）
takafumi-s@eng.u-hyogo.ac.jp（鈴木(隆)）

対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標

二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。

学部DP

ー

研究科DP

1◎

全学DP

ー

教職課程の学修目標

ー

講義目的・到達目標

講義目的
半導体部品は今後2年毎に集積度が4倍に増大し、IT社会の中でその重要性はますます高まる。本講義では製造技術の中核をなすリソグラフィ、エッチング、デポジション技術についての最新の加工原理を習得すると共に、新しい半導体デバイスに目を向け、その背景にある基礎について理解を深める。

到達目標
日々進化していく半導体製造技術を説明できる。

授業のサブタイトル・キーワード

トランジスタ、リソグラフィ、薄膜形成、相関電子系、バンド計算、電解析出法、パターニング技術

講義内容・授業計画

授業内容
Electron, Ion, Photon Beamによる微細加工の原理と半導体製造技術への応用（リソグラフィ、エッチング、デポジション等）について半導体電子物性の基礎論や最近の技術動向を踏まえて詳述する。
　　
授業計画
1.トランジスタ開発の歴史
2.ＣＭＯＳ技術
3.Ｓｉ結晶成長とウェハの加工
4.リソグラフィ
5.熱酸化とイオン注入技術、薄膜形成技術
6. 半導体の電子物性
7. 相関電子系の基礎
8. 材料開発と数値シミュレーション
9. バンド計算と物性評価
10. 新しい電子自由度制御による半導体
11. 電解析出法による薄膜形成技術
12. LIGAプロセスによるパターニング技術
13. ナノインプリントを用いたパターニング技術
14. 集束イオンビーム（FIB）を用いたパターニング技術
15. 総括

生成AIの利用：参考とすることは認める

教科書

必要に応じてプリントを配布する。

参考文献

事前・事後学習（予習・復習）の内容・時間の目安

【予習】授業に際して指示するテキスト・オンデマンド教材の部分を事前読み込み（30ｈ）
【復習】レポート作成（3回、30ｈ）

アクティブ・ラーニングの内容

採用しない

成績評価の基準・方法

主要項目についてレポートを課す。

課題・試験結果の開示方法

レポートは、それぞれにコメントを付して返す。

履修上の注意・履修要件

授業欠席の際の証明書:病院の領収書でも良い

実践的教育

該当しない

備考

英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。

シラバス情報