シラバス情報
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教員名 ： 神田 健介
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授業科目名
先端電子情報素子工学
(英語名)
Advanced Electronicand Information Devices
科目区分
ー
-
対象学生
工学研究科
学年
1年
ﾅﾝﾊﾞﾘﾝｸﾞｺｰﾄﾞ
HETMN5MCA9
単位数
2単位
ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の？から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。
授業の形態
講義・実習 (Lecture/Practical Training)
開講時期
2025年度後期
担当教員
神田 健介
所属
工学研究科電子情報工学専攻
授業での使用言語
日本語
関連するＳＤＧｓ目標
目標4／目標9
ｵﾌｨｽｱﾜｰ・場所
水曜日 10:40〜12:10 B520室
連絡先
kanda@eng.u-hyogo.ac.jp
対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標
二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。
学部DP
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研究科DP
1◎／2〇／3〇
全学DP
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教職課程の学修目標
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講義目的・到達目標
これからのIoT社会を下支えする電子情報素子として，センサやアクチュエータなどのいわゆるMEMSと呼ばれる素子とその周辺技術に関して，その種類や原理，製造技術，回路技術まで幅広く論じる。講義後半では，MEMSデバイス開発支援センターを利用した実デバイス試作を通じてMEMS設計・製造技術についての理解を深める。本講義の到達目標は，電気機械変換を含むMEMS素子の設計・製造技術を理解し応用できることである。
授業のサブタイトル・キーワード
講義内容・授業計画
講義前半は座学によりMEMSに関する基礎知識の習得を行う。
後半では，デバイス試作を行うことで，半導体製造工程やMEMSプロセスについての理解を深める。 1．MEMSの歴史 2．製造技術（１） 3．製造技術（２） 4．材料力学の概要 5．振動工学の概要 6．圧電型MEMS 7．試作課題のための設計 8．試作課題のための設計（デザインレビュー含む） 9．シリコン酸化工程 10．リソグラフィ 11．金属エッチング 12．リソグラフィ・シリコンエッチング 13．リソグラフィ・シリコンエッチング 14．デバイス評価 15．デバイス評価 教科書
プリント配布
参考文献
藤田博之編著：センサ・マイクロマシン工学、EEText、電気学会・オーム社
事前・事後学習（予習・復習）の内容・時間の目安
【予習】事前配布する資料の読み込み（2ｈ x 15回）
【復習】講義内容の理解を深め定着させるためにテキストを読み直し（2ｈ x 15回） アクティブ・ラーニングの内容
実際にクリーンルームに入り，MEMS試作を通して半導体製造プロセスの体験を行う。
成績評価の基準・方法
講義中の課題50%，試作課題に関するレポート50%として評価を行う。
60点以上を合格とし，90点以上でS，80点以上でA，70点以上でB，60点以上をCとする。 課題回答では，⽣成系AIの使⽤は不可とする。⽣成系AIを使⽤したことが判明した場合は、単位を認定しない、⼜は認定を取り消すことがある。 また，体験型の講義であるため，3回以上欠席した場合には不可とする。 課題・試験結果の開示方法
課題について講義中に解説を行う。
履修上の注意・履修要件
MEMSやセンサやアクチュエータ，ものづくりに興味があること。材料力学や振動工学の基礎についても学ぶ。事前知識は不要だがアレルギーなく興味を持って取り組むこと。
実践的教育
該当しない
備考
英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。
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