有機電子物性論｜ Syllabus data

Course Title

有機電子物性論

Course Title in English

Course Type

-

物質科学専攻科目・選択科目

Eligible Students

Graduate School of Science

Target Grade

All

Course Numbering Code

HSSMM5MCA1

Credits

2.00Credits

The course numbering code represents the faculty managing the subject, the department of the target students, and the education category (liberal arts / specialized course). For detailed information, please download the separate manual from the upper right 'question mark'.

Type of Class

講義 (Lecture)

Eligible Year/Semester

Fall semester 2026

(Fall semester)

Instructor

江口　律子

Affiliation

理学研究科

Language of Instruction

Japanese

Related SDGs

N/a

Office Hours and Location

授業日　〜17:00　(713号室)

Contact

eguchi@sci.u-hyogo.ac.jp

Corresponding Diploma Policy

A double circle indicates the most relevant DP number and a circle indicates the associated DP.

Corresponding Undergraduate School DP

ー

Corresponding Graduate School DP

1◎／4〇

Corresponding University-Wide DP

N/a

Academic Goals of Teacher Training Course

ー

Course Objectives and Learning Outcome

【講義目的】
本講義では、電子物性の立場から有機薄膜デバイスに関する研究の基礎的知識を身につける。
【到達目標】
半導体および電子素子のひとつである電界効果トランジスタの基礎知識を通して、物質界面における特異な伝導特性や電子状態ついて説明できること、有機デバイスの動作原理やデバイス関連研究（デバイス作製方法、物性測定・解析）の文献について説明できることを最終的な到達目標とする。

Subtitle and Keywords of the Class

有機半導体デバイス、薄膜、接合、界面、電界効果トランジスタ

Course Overview and Schedule

１．金属・半導体の基礎
２．半導体の基礎：不純物半導体
３．キャリアの輸送現象１
４．キャリアの輸送現象２
５．p-n接合１
６．p-n接合２
７．金属/酸化物/半導体(MOS)ダイオードの原理
８．MOS電界効果トランジスタの原理
９．有機電界効果トランジスタの作製
１０．有機電界効果トランジスタの動作特性
１１．有機材料を用いたデバイス研究１
１２．有機材料を用いたデバイス研究２
１３．二次元層状物質を用いたデバイス研究１
１４．二次元層状物質を用いたデバイス研究２
１５．まとめ

In-person/Remote Classification

In-person

Implementation Method and Remote Credit Limit Application

・対面授業のみ
・遠隔授業単位上限の適用を受けない

Uses of Generative AI

Limited permission for use

Precautions for using Generative AI

生成ＡＩの利用にあたっては『本学の教育における生成ＡＩの取扱いについて（学生向け）』の記載内容について留意すること。
この授業においては、以下の範囲において、生成ＡＩの利用を許可し、これ以外の範囲での利用は禁止する。生成ＡＩの利用については担当教員の指示に従うこと。教員が認める範囲を超えて生成ＡＩを利用したことが判明した場合は、単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。生成ＡＩの出力した内容について、事実関係の確認や出典・参考文献を確認・追記することが重要である。また、生成ＡＩによる出力結果をそのまま課題・レポートとして提出してはならない。
＜利用可の範囲＞
参考文献の要約の補助

Textbook

講義資料をユニバーサルパスポートで適宜配布する。

References

Semiconductor Devices: Physics and Technology, by S. M. Sze (A John Wiley & Sons, Inc.)

Contents and Estimated Time for Pre- and Post- Learning (Preparation and Review)

【予習】講義資料が事前に配られている場合は、授業前に読んでおくこと。必要に応じて参考文献を読む。（30ｈ）
【復習】レポート作成（数回、15ｈ）、講義内容の理解を深め定着させるため講義資料の見直し、参考文献を読む。（15ｈ）

Contents of Active Learning

採用しない

Grading Criteria and Methods

【成績評価の基準】
S（90点以上）、Ａ（80 点以上）、B（70 点以上）、C（60 点以上）による成績評価のうえ、単位を付与する。

【成績評価の方法】
基本的にレポート提出により成績評価する。

How to Disclose Assignments and Exam Results

課題への解答に関して教員が随時コメントし、解説等を授業中に行う。

Precautions and Requirements for Course Registration

先修科目は特にないが、量子力学、統計力学、物理化学、量子化学、電磁気学の基礎的知識を有していることが望ましい。

Practical Education

該当しない

Remarks

In cases where any differences arise between the English version and the original Japanese version, the Japanese version shall prevail as the official authoritative version.