EUV Lithography for Advanced Semiconductor Manufacturing

Course Title

Course Title in English

EUV Lithography for Advanced Semiconductor Manufacturing

Course Type

Major Courses

ー

Eligible Students

School of Engineering

Target Grade

1Year

Course Numbering Code

HETBA1MCA1

Credits

2.00Credits

The course numbering code represents the faculty managing the subject, the department of the target students, and the education category (liberal arts / specialized course). For detailed information, please download the separate manual from the upper right 'question mark'.

Type of Class

講義 (Lecture)

Eligible Year/Semester

Fall semester 2026

(Fall semester)

Instructor

Yuichi Haruyama

Affiliation

高度産業科学技術研究所

Language of Instruction

Japanese

Related SDGs

9

Office Hours and Location

随時・播磨理学キャンパス研究Ⅱ期棟N315室

Contact

haruyama@lasti.u-hyogo.ac.jp

Corresponding Diploma Policy

A double circle indicates the most relevant DP number and a circle indicates the associated DP.

Corresponding Undergraduate School DP

4◎／3〇

Corresponding Graduate School DP

ー

Corresponding University-Wide DP

N/a

Academic Goals of Teacher Training Course

ー

Course Objectives and Learning Outcome

講義目的
放射光の特徴、ビームライン技術、光と物質の相互作用、および、放射光を用いた物質・材料の解析手法である光電子分光や吸収分光等について学習し、これらの手法から得られる物質・材料の組成や電子状態分析に関する知識を習得する。

到達目標
1)放射光の特徴、ビームライン技術等の放射光に関する基本的な知識を説明できること、2)放射光を用いた光電子分光や吸収分光等の原理や測定方法、光電子分光や吸収分光を行うことでどのような情報が得られるのかについて説明できること。

Subtitle and Keywords of the Class

放射光、光電子分光、吸収分光

Course Overview and Schedule

講義内容
放射光の特徴、ビームライン技術、光と物質の相互作用について説明し、放射光を用いた解析手法である光電子分光や吸収分光等について実際の実験例を示しながら講義する。

授業計画
１．放射光科学序論
２．放射光の発生・特徴
３．放射光ビームライン技術I
４．放射光ビームライン技術II
５．光と物質の相互作用
６．光電子分光の原理
７．光電子分光の装置・測定方法
８．光電子分光による組成分析
９．光電子分光による電子状態分析I
１０．放射光科学に関する中間試験
１１．光電子分光による電子状態分析II
１２．光電子分光による電子状態分析III
１３．吸収分光による電子状態分析I
１４．吸収分光による電子状態分析II
１５．電子分光による組成分析・電子状態分析、総括

In-person/Remote Classification

In-person

Implementation Method and Remote Credit Limit Application

対面授業のみ

Uses of Generative AI

Limited permission for use

Precautions for using Generative AI

生成ＡＩの利用にあたっては『本学の教育における生成ＡＩの取扱いについて（学生向け）』の記載内容について留意すること。
この授業においては、以下の範囲において、生成ＡＩの利用を許可し、これ以外の範囲での利用は禁止する。生成ＡＩの利用については担当教員の指示に従うこと。教員が認める範囲を超えて生成ＡＩを利用したことが判明した場合は、単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。生成ＡＩの出力した内容について、事実関係の確認や出典・参考文献を確認・追記することが重要である。また、生成ＡＩによる出力結果をそのまま課題・レポートとして提出してはならない。
＜利用可の範囲＞講義資料の要約、課題・レポート文案作成、文書の翻訳・校正等

Textbook

指定しない。適宜資料を配布する。

References

「放射光ビームライン光学技術入門」、大橋治彦; 平野馨一、日本放射光学会
「X線・放射光の分光(分光測定入門シリーズ第7巻)」，日本分光学会，講談社
他の文献については、授業中に適宜紹介する。

Contents and Estimated Time for Pre- and Post- Learning (Preparation and Review)

【予習】授業に際して指示するテキストを事前読み込み（25ｈ）

【復習】レポート作成（1回、5ｈ）、講義内容の理解を深め定着させるためにテキストを読み直し（30ｈ）

Contents of Active Learning

採用しない。

Grading Criteria and Methods

成績評価の基準
放射光に関する基本的な知識を理解し、放射光を用いた光電子分光や吸収分光等の測定方法や解析手法について説明できるものについては、講義目的・到達目標に記載する能力（知識・技能、思考力、判断力等）の到達度に基づき、 S (90点以上), Ａ(80点以上), B(70点以上), C(60点以上)による成績評価のうえ、単位を付与する。

成績評価の方法
中間試験50%およびレポート50%を基準として、受講態度を含めて総合的に評価する。

How to Disclose Assignments and Exam Results

中間試験については、原則次回の講義内で解説する。
レポートについてはユニバーサルパスポートのクラスプロファイル機能を使って講評を返す。

Precautions and Requirements for Course Registration

現代物理学、物性物理Ⅰ、Ⅱ、IIIを履修していることが望ましい。

Practical Education

該当しない。

Remarks

In cases where any differences arise between the English version and the original Japanese version, the Japanese version shall prevail as the official authoritative version.

Syllabus data