Advanced Seminar on Electrical and Electronic Engineering Ⅱ

Advanced Seminar on Electrical and Electronic Engineering Ⅱ

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電気電子工学分野科目

Graduate School of Engineering

1Year

HETDA7MCA1

2.00Credits

講義 (Lecture)

Spring semester 2026

(Spring semester)

Shinichi Honda,Noriaki Toyoda,Shunjiro Fujii,Haruhiko Yoshida,Hironori Fujisawa,Kazuya Tada,Seiji Nakashima

工学研究科

Japanese

9

開講科目一覧（履修の手引き）を参照のこと。

クラスプロファイルにより問い合わせること。

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1◎／2◎

N/a

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・講義目的
電気電子工学分野における表面物性工学，ナノ材料工学，ナノデバイス工学，ナノプロセス工学，有機エレクトロニクス材料工学，マルチフェロイック材料工学，ナノカーボン材料工学等の最先端の研究に関するセミナーで，独立した研究者としての素養を養う｡

・到達目標
自ら最先端の話題を提供し，その話題を計画に沿って分かりやすく説明できる。

科目の位置づけ, 教育内容・方法
原著論文の購読等により内容を理解し，最先端の話題を自ら提供し，その内容について討論することにより，研究者，技術者として指導できる能力を養成する。
具体的には下記の事項について全15週にわたって討論し，解説する。

（オムニバス方式／全１５回)
（本多信一／３回）ナノ構造を用いた量子効果デバイスについて，特に，低次元のナノ構造の作製技術やデバイス応用に焦点を当ててセミナーを行う。
（藤澤浩訓／２回）今後の高集積電子デバイスに要求される新規プロセス技術・材料などについてのセミナーを行う。
（豊田紀章／２回）イオンビーム発生技術，イオンビーム照射効果，粒子線応用技術とその具体例についてセミナーを行う。
（多田和也／２回）有機エレクトロニクス材料の評価技術とデバイス応用についてセミナーを行う。
（藤井俊治郎／２回）ナノエレクトロニクス分野において，代表的なナノ電子材料であるカーボンナノチューブやグラフェンの電子物性とデバイス応用についてセミナーを行う。
（吉田晴彦／２回）半導体及び半導体デバイスの物性，作製プロセスについて，またこれらの表面及び界面の物性ならびに分析技術についてセミナーを行う。
（中嶋誠二／２回）次世代メモリデバイス特に半導体メモリ，不揮発性メモリ，次世代高信頼性メモリに関する最新技術についてセミナーを行う。

In-person

・対面授業のみ
・遠隔授業単位上限の適用を受けない

Completely forbidden

この授業においては，生成ＡＩの利用を禁止している。授業内での利用は厳禁であり，違反したことが判明した場合は単位を認定しない，又は認定を取り消すことがある。生成ＡＩの利用にかかわらず『本学の教育における生成ＡＩの取扱いについて（学生向け）』の記載内容について留意すること。

適宜講義資料を配布する。

必要に応じて文献を学術論文誌より自主的に集める。

【予習】講義資料の該当部分を事前読み込み，プレゼンテーションの準備（15ｈ）
【復習】レポート課題作成（15ｈ）

講義中に学生からのプレゼンテーションを行い，能動的な学習を進める。

【成績評価の基準】
講義目的・到達目標に記載する能力の到達度に基づき，S（90点以上），A（80点以上），B（70点以上），C（60点以上）による成績評価のうえ，単位を付与する。

【成績評価の方法】
講義目的・到達目標に記載する能力の到達度をレポート課題やプレゼンテーションの内容に基づき総合的に判断する。  

レポート課題やプレゼンテーションについては，講義中またはユニバーサルパスポートを利用して講評を示す。

該当しない。