先端電子デバイス工学

Advanced Electronic Devices

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電気電子工学分野科目

工学研究科

1年

HETMA5MCA1

2単位

講義 (Lecture)

2026年度前期

藤澤 浩訓、本多 信一

工学研究科

日本語

目標7／目標9

履修の手引き「オフィスアワー一覧」参照

ユニバーサルパスポートのクラスプロファイルから問い合わせること

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1◎

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【講義目的】
機能性材料にはSi半導体にはない優れた物性があり，その物性発現機構を理解することが，新しい電子デバイスの創出に不可欠である。本講義では，誘電体やナノカーボン，二次元材料を中心に機能性材料の物性と先端電子デバイスへの応用可能性を構想できる素地を養う。
【到達目標】
機能性材料の物性と先端電子デバイスへの応用について具体例をあげて説明できる.

【サブタイトル】新しい電子デバイス創出に向け，機能性材料の物性を学ぶ
【キーワード】誘電体，圧電体，ナノカーボン，二次元材料，先端電子デバイス

【講義内容】
結晶工学の基礎から，誘電体や圧電体，ナノカーボン材料，二次元材料などの物性の微視的／巨視的理解を図るとともに，それらの先端電子デバイスへの応用について述べる ．
【授業計画】
第1回:結晶構造1
第2回:結晶構造2
第3回:逆格子1
第4回:逆格子2
第5回:各種結晶構造解析
第6回:誘電体/圧電体1
第7回:誘電体/圧電体2
第8回:誘電体/圧電体3
第9回:メゾスコピック系の物性1
第10回:メゾスコピック系の物性2
第11回:ナノカーボン材料1
第12回:ナノカーボン材料2
第13回:ナノカーボン材料3
第14回:二次元材料1
第15回:二次元材料2

対面

・対面授業のみ
・遠隔授業単位上限の適用を受けない

利用する場面を限定し許可

「生成ＡＩの利用にあたっては『本学の教育における生成ＡＩの取扱いについて（学生向け）』の記載内容について留意すること。
この授業においては、以下の範囲において、生成ＡＩの利用を許可し、これ以外の範囲での利用は禁止する。生成ＡＩの利用については担当教員の指示に従うこと。教員が認める範囲を超えて生成ＡＩを利用したことが判明した場合は、単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。生成ＡＩの出力した内容について、事実関係の確認や出典・参考文献を確認・追記することが重要である。また、生成ＡＩによる出力結果をそのまま課題・レポートとして提出してはならない。
また，講義資料の全部または一部を電子ファイルまたは画像等として生成ＡＩに入力することを禁止する。

利用可の範囲
講義内容の理解を深める学習

適宜，資料を配布する．

「半導体評価技術」 河東田 隆 編著（産業図書）
「固体物理学入門 上・ 下」 Charles Kittel 著， 宇野， 津屋， 森田， 山下 共訳（丸善）
「フラーレンの化学と物理」 篠原久典、 齋藤弥八著（名古屋大学出版会）
「カーボンナノチューブの基礎と応用」 齋藤理一郎、篠原久典著（培風館）

【予習】配布資料などの読み込み（30h）
【復習】配布資料・ノートなどの読み直し，レポート（30h）

採用しない

【成績評価の基準】講義目的・到達目標へ到達したものには，その到達度に基づき，S (90点以上)，A (80点以上)，B (70点以上)，C (60点以上)による成績評価のうえ，単位を付与する ．
【成績評価の方法】レポート （50%） ／演習（50%） を 総合して評価する ．

レポートや演習については講義内で解説する．
試験結果については，申し出に応じて個別にフィードバックする．

電磁気学，電気回路，電気電子材料及び固体物理に関する基礎知識を習得していることが望ましい．

該当しない