放射光リソグラフィ工学

Advanced EUV Lithography for Semiconductor Manufacturing

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放射光工学分野科目

工学研究科

1年

HETMA5MCA1

2単位

講義 (Lecture)

2026年度後期

原田 哲男、山川 進二

工学研究科・工学専攻・放射光工学分野／高度産業科学技術研究所

日本語

目標9

随時・ニュースバル

harada@lasti.u-hyogo.ac.jp（原田）

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1◎

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＜講義目的＞
 半導体製造において光リソグラフィは回路パタンを転写する技術であり、半導体の性能（トランジスタ の搭載数）はリソグラフィの解像度に依存する。本講義では半導体製造において重要な光リソグラフィ ーの基礎について習得する。
＜到達目標＞
EUVリソグラフィの原理と、露光に必要な多層膜・マスク・レジスト・光源の各要素について理解する。また、光リソグラフィにおける解像度など基本的な事項を理解する。

＜講義概要＞
光リソグラフィとは感光性材料であるレジストを塗布した基板に対し，光を用いてマスクパタ ンを転写する技術である。光の波長に応じて数ミクロンから数十ナノメートルの微細なパタン を加工できるため，半導体をはじめとした微細加工技術が求められる分野で実用化されている。本講義では，本学が有するニュースバル放射光施設において研究されているX線を用いたEUV リソグラフィ技術に関して，基礎から実用例を含む応用研究まで幅広く述べる。
＜授業計画＞
第１回：半導体とロードマップ
第２回：リソグラフィー技術の変遷
第３回：解像度とEUVリソグラフィ
第４回：多層膜技術
第５回：マスク技術
第６回：光源技術
第７回：Beyond EUVリソグラフィ
第８回：中間まとめ
第９回：レジスト技術（概論）
第１０回：レジストの種類について
第１１回：レジストポリマー技術
第１２回：レジストの反応機構
第１３回：レジスト評価技術
第１４回：DSAリソグラフィ
第１５回：まとめ 

ハイブリッド（遠隔）

全面的に許可

この授業においては、授業内、予習復習、レポート等を含む成果物作成等において生成ＡＩの利用を全面的に許可しており、生成ＡＩの利用について制限を設けないが、生成ＡＩによる出力結果をそのまま課題・レポートとして提出してはならない。生成ＡＩの出力した内容について、事実関係の確認や出典・参考文献を確認・追記することが重要である。使用した場合にその旨をレポート等に記載するかどうか等については、担当教員の指示に従うこと。

授業中にその都度指示する。

渡辺誠・佐藤繁 「放射光科学⼊⾨」 東北⼤学出版会
“Extreme Ultraviolet Lithography”, Harry J. Levinson, SPIE Press (2020).

【予習】授業に際して指⽰するテキスト教材の部分を事前読み込み（20ｈ）
【復習】レポート作成（2回、20ｈ）講義内容の理解を深め定着させるためにテキスト教材を読み直し（20ｈ）

該当しない

<成績評価の基準>
半導体リソグラフィーに関する基本的な知識を理解し、EUVリソ関係のシンポジウムやフォトレジストについて説明できるものについては、講義目的・到達目標に記載する能力（知識・技能、思考力、判断力、表現力等）の到達度に基づき、 S (90点以上), Ａ(80点以上), B(70点以上), C(60点以上)による成績評価のうえ、単位を付与する。

＜成績評価の⽅法＞
学修成果の評価は、レポート（80%）、発表内容（10%）、実技等（10%）により、学修目標に即して 多面的な方法で行う。学修成果の評価は、レポート（80%）、発表内容（10%）、実技等（10%）により、学修目標に即して 多面的な方法で行う。

レポートの内容は提出後の授業中に取り上げ、回答内容について解説する。

該当しない