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教員名 : 菊池 祐介
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授業科目名
電気電子工学講究Ⅰ
(英語名)
Advanced Study on Electrical and Electronic Engineering Ⅰ
科目区分
ー
電気電子工学分野科目
対象学生
工学研究科
学年
1年
ナンバリングコード
HETDA7MCA1
単位数
2単位
ナンバリングコードは授業科目を管理する部局、学科、教養専門の別を表します。詳細は右上の?から別途マニュアルをダウンロードしてご確認ください。
授業の形態
講義 (Lecture)
開講時期
2026年度前期
(Fall semester)
担当教員
菊池 祐介、古谷 栄光、福本 直之、古賀 麻由子、堀田 育志、南 裕樹、岡 好浩
所属
工学研究科
授業での使用言語
日本語
関連するSDGs目標
目標9
オフィスアワー・場所
履修の手引き「オフィスアワー一覧」参照
連絡先
履修の手引き「オフィスアワー一覧」参照
対応するディプロマ・ポリシー(DP)・教職課程の学修目標
二重丸は最も関連するDP番号を、丸は関連するDPを示します。
学部DP
ー
研究科DP
1◎/2〇/3〇
全学DP
ー
教職課程の学修目標
ー
講義目的・到達目標
講義目的:
高電圧・プラズマ工学,パワー半導体,システム・制御工学,核融合工学における最先端の研究に関して,実際に研究に従事している教員の講義を通して研究の深さを実感し,最先端分野の課題および問題点の抽出,それらの解決方法を講究する. 達成目標: 自ら最先端の話題を提供し,その話題を計画に沿ってわかりやすく説明できる. 授業のサブタイトル・キーワード
講義内容・授業計画
下記の教員の指導のもと,以下の内容をオムニバス方式で15週かけて行う.
(オムニバス方式) 1〜3:(菊池祐介)プラズマ・放電を利用した産業応用研究は多岐にわたるが,その理解に必須となるプラズマ放電物性について講義する.特に,プラズマと材料の相互作用に関する最新の研究課題についても解説する. 4〜5:(古谷栄光)所望の動作をするシステムを構築するさいに必要となるシステムの解析法,設計法,および制御法について,最新の技術を含めて講義する. 6〜7:(堀田育志)遷移金属酸化物の半導体材料の基本物性及び表面・界面物性,さらにそれらの薄膜作製技術について講義する.また,シリコンとのハイブリッド化技術についても言及する. 8〜9:(南裕樹)制御システムの省エネ化・軽量化を実現するための設計論について,最新の研究課題を含めて講義する. 10〜11:( 岡好浩)液中低温プラズマによるプロセス技術および最新応用技術について解説する. 12〜13:(古賀麻由子)レーザー生成プラズマ研究では高時間空間分解能を持つ様々な計測器が必要とされる.本講義ではこれらの計測器の特徴,原理について講義する.さらに高速度現象をめぐる最新の計測技術開発状況についても解説する. 14〜15:(福本直之)磁場閉じ込め核融合研究におけるプラズマ物理とその制御を中心に講義する.さらに,エネルギー開発としての核融合の現状と課題についても解説する. 対面・遠隔の別
対面
実施方法及び遠隔上限適用対象の別
・対面授業のみ
・遠隔授業単位上限の適用を受けない 生成AIの利用
完全に禁止
生成AI注意点
この授業においては、生成AIの利用を禁止している。授業内での利用は厳禁であり、違反したことが判明した場合は単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。
生成AIの利用にかかわらず『本学の教育における生成AIの取扱いについて(学生向け)』の記載内容について留意すること。 教科書
テキスト資料配布
参考文献
学生自らが必要と思った文献を自主的に集める.
事前・事後学習(予習・復習)の内容・時間の目安
【予習】授業に際して指示する資料を事前読み込み(20h)、プレゼンテーションの準備(10h)
【復習】レポート作成(30h) アクティブ・ラーニングの内容
採用しない.
成績評価の基準・方法
【成績評価の基準】
講義目的・到達目標に記載する能力の到達度に基づき、S(90点以上)、A(80点以上)、B(70点以上)、C(60点以上)による成績評価のうえ、単位を付与する。 【成績評価の方法】 講義目的・到達目標に記載する能力の到達度を発表(50%)とレポート(50%)の合計にて評価する。 課題・試験結果の開示方法
レポートはコメントを付して返す。
履修上の注意・履修要件
実践的教育
該当しない
備考
英語版と日本語版との間に内容の相違が生じた場合は、日本語版を優先するものとします。
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