放射光工学セミナーⅠ

Advanced Seminar on Synchrotron Radiation Engineering Ⅰ

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放射光工学分野専門科目

工学研究科

1年

HETDA7MCA1

2単位

講義 (Lecture)

2026年度後期

原田 哲男、橋本 智

工学研究科・工学専攻・放射光工学分野／高度産業科学技術研究所

日本語

目標7／目標9／目標12

harada@lasti.u-hyogo.ac.jp(原田)
hashi@lasti.u-hyogo.ac.jp(橋本)

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3◎／1〇／2〇

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【講義目的】高度な放射光工学を学ぶ上で、放射光源や極端紫外線リソグラフィ（EUVL）技術に関する知見を深めることは重要である。本講義では最先端の放射光源開発やEUVL技術開発に従事している教員との議論を通じて、これらの理解を深めることを目的とし、相対論的荷電粒子加速器，挿入光源，レーザー等を用いた新光源開発研究などの放射光源研究のほか，次世代半導体のキーテクノロジーであるEUVL技術，フォトレジストの基礎とその有機合成，フォトマスク材料である薄膜評価研究などの放射光応用研究の概念やそれを取り巻く課題に関連する原著論文を講読してその内容を理解し、その内容をわかりやすく説明できる。
【到達目標】放射光源，放射光応用技術に関する広い知見を習得し、得られた知見と自身の研究課題との関連性を熟考し，その内容を総括してわかりやすく説明できること。

【講義内容】本講義では相対論的荷電粒子加速器，挿入光源，レーザー等を用いた新光源開発研究などの先端放射光源研究のほか，次世代半導体のキーテクノロジーであるEUVL技術，フォトレジストの基礎とその有機合成，フォトマスク材料である薄膜評価研究などの放射光応用研究についてセミナーを行う。

【授業計画】第1回　ガイダンス・序論（担当：原田、橋本）
第２回〜第8回（担当：橋本）相対論的荷電粒子加速器，挿入光源，レーザー等を用いた新光源開発研究などの先端放射光源研究についてのセミナーを行う。
第9回〜第15回（担当：原田）次世代半導体のキーテクノロジーであるEUVL技術，フォトレジストの基礎とその有機合成，フォトマスク材料である薄膜評価研究などの放射光応用研究についてのセミナーを行う。

対面

利用する場面を限定し許可

生成ＡＩの利用にあたっては『本学の教育における生成ＡＩの取扱いについて（学生向け）』の記載内容について留意すること。
この授業においては、以下の範囲において、生成ＡＩの利用を許可し、これ以外の範囲での利用は禁止する。
生成ＡＩの利用については担当教員の指示に従うこと。教員が認める範囲を超えて生成ＡＩを利用したことが判明した場合は、単位を認定しない、又は認定を取り消すことがある。生成ＡＩの出力した内容について、事実関係の確認や出典・参考文献を確認・追記することが重要である。また、生成ＡＩによる出力結果をそのまま課題・レポートとして提出してはならない。

＜利用可の範囲＞
課題・レポート文案作成。

講義中に適宜紹介する。

講義中に適宜紹介する。

【予習】セミナーで必要となる文献の事前読み込み、資料の準備（10ｈ）

【復習】セミナー内容についてのレポート作成（10ｈ）、議題内容の理解を深め定着させるために追加される文献の読解（10ｈ）

採用しない。

【成績評価の基準】講義目的・到達目標に記載する能力の到達度に基づき，S（90点以上）,Ａ（80点以上）,B（70点以上）,C（60点以上）による成績評価のうえ，単位を付与する。

【成績評価の方法】講義目的・到達目標に記載する能力の達成度をセミナー中の討論内容に基づき総合的に判断する。

セミナー中の議論における発言内容について指導教員が適宜フィードバックを与える。

全てのセミナーに参加することが必要。

該当しない。

日程と使用するセミナー室は担当教員が通知する。